T29 - Semicondutores dopados

17 Maio 2022, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.

Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.

Regime extrínseco e fortemente extrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas). Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p. Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras).