T32 - Semicondutores dopados

14 Maio 2019, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.

Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.

Número médio de ocupação  para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada. Número de electrões e buracos ligados às impurezas.