T33 - Semicondutores dopados 2

16 Maio 2019, 09:30 • Maria Margarida Cruz

Regime extrínseco e fortemente extrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas). Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p. Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras).

Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos. Variação com a temperatura da condutividade eléctrica.