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11 Maio 2017, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III; análise em termos de ião carregado (“core” impureza) + portador de carga fracamente ligado; energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora;  interpretação em termos do modelo de Bohr; introdução de uma constante dieléctrica macroscópica para a matriz semicondutora, redução da energia de ionização das impurezas e aumento do raio da órbita do electrão.