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16 Maio 2017, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p; regime extrínseco e fortemente extrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas).
Variação com a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras) ; região de congelamento de impurezas, região extrínseca e região intrínseca; passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.
Análise da região de congelamento de impurezas.