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9 Maio 2017, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Determinação da concentração de electrões na banda de condução e de buracos na banda de valência para um semicondutor intrínseco.

Produto da concentração de electrões e buracos (lei de acção das massas); determinação da concentração intrínseca, dependência com a temperatura, variação da condutividade eléctrica.

Determinação da posição do nível de Fermi intrínseco: nível de Fermi para T=0K; variação da posição do nível de Fermi intrínseco com a temperatura.