T30 - Impurezas em semicondutores

15 Abril 2021, 09:30 • Maria Margarida Cruz

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.

Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.

Regime extrínseco e fortemente extrínseco. Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p.