T29 - Níveis electrónicos de impurezas em semicondutores (aula não presencial)

21 Maio 2020, 09:30 • Maria Margarida Cruz

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.

Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.

Regime extrínseco, fortemente extrínseco e intrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas).

Temperatura de transição entre o regime fortemente extrínseco e intrínseco.