T30 - Semicondutores dopados (aula não presencial)

25 Maio 2020, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p.

Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras). Estatística dos electrões nos níveis de impurez -  estatística de Fermi-Dirac modificada. Número de electrões e buracos ligados às impurezas.

Condutividade eléctrica em semicondutores dopados: regimes intrínseco, extrínseco e fortemente extrínseco. Variação com a temperatura da condutividade eléctrica. Comportamento da mobilidade eléctrica dos portadores em função da temperatura.