T11 - Semicondutores dopados

26 Outubro 2018, 10:30 • Maria Margarida Cruz

Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido; compensação de impurezas.

Semicondutores dopados no regime extrínseco e fortemente extrínseco. Variação com a temperatura da concentração de portadores. Região extrínseca e região intrínseca; critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.

Concentração de electrões na banda de condução (semicondutor do tipo n) a baixa temperatura; fracção de impurezas não ionizadas. Número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras), função de distribuição de F-D modificada e aproximação de M-B. Posição do potencial químico a baixa temperatura e evolução com a temperatura da sua posição no hiato de energia. Identificação do potencial químico com uma "Energia de Fermi".

Condutividade eléctrica de semicondutores dopados; análise da representação gráfica da variação com a temperatura de: concentração de portadores, mobilidade e condutividade eléctrica.