T
18 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido; semicondutores extrínsecos e fortemente extrínsecos; compensação de impurezas.
Variação com a temperatura da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas; região extrínseca e região intrínseca; critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco; dedução da concentração de electrões na banda de condução (semicondutor do tipo n) a baixa temperatura; posição do nível de Fermi a baixa temperatura e evolução com a temperatura da posição de EF no hiato de energia.