T11 - Impurezas em semicondutores

23 Outubro 2019, 10:30 • Maria Margarida Cruz

Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p.

Energia de ionização das impurezas e dimensão espacial dos estados ligados dos portadores.

Densidade de electrões na banda de condução e de buracos na banda de valência em semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras. Variação com a temperatura da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas, região fortemente extrínseca e região intrínseca.

Potencial químico de um semicondutor dopado.