T12 - Portadores de carga em semicondutores dopados

25 Outubro 2019, 10:30 • Maria Margarida Cruz

Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido;  semicondutores extrínsecos e fortemente extrínsecos. Compensação de de um material dopado..

Critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.

Número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras) descrito a partir da função de distribuição de Fermi-Dirac modificada e sua aproximação pela distribuição de Maxwell-Boltzmann.

Condutividade eléctrica de um semicondutor dopado e sua dependência com a temperatura.