Sumários
semicondutores extrínsecos
21 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues
Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p.
Energia de ionização das impurezas e dimensão espacial dos estados ligados dos portadores.
Densidade de electrões na banda de condução e de buracos na banda de valência em semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras. Variação com a temperatura da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas, região fortemente extrínseca e região intrínseca.
Potencial químico de um semicondutor dopado.
série 5 - sobre semicondutores
16 Outubro 2020, 11:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues
Discussão e resolução da série de problemas 5.
Semicondutores intrínsecos
16 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues
Concentração de electrões na banda de condução e buracos na banda de valência
Nível de Fermi intrínseco, variação com a temperatura e massas efectivas.
Resolução dos exercícios da série 4
14 Outubro 2020, 11:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues
Continuação da resolução de exercícios da série 4 sobre o efeito do potencial periódico em electrões quase livres.
Resumo da matéria dada
14 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues
Foi feita uma revisão dos aspectos mais importantes e gerais relativos ao total da matéria.