semicondutores extrínsecos

21 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p.

Energia de ionização das impurezas e dimensão espacial dos estados ligados dos portadores.

Densidade de electrões na banda de condução e de buracos na banda de valência em semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras. Variação com a temperatura da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas, região fortemente extrínseca e região intrínseca.

Potencial químico de um semicondutor dopado.

série 5 - sobre semicondutores

16 Outubro 2020, 11:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Discussão e resolução da série de problemas 5.

Semicondutores intrínsecos

16 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Concentração de electrões na banda de condução e buracos na banda de valência

Nível de Fermi intrínseco, variação com a temperatura e massas efectivas.

Resolução dos exercícios da série 4

14 Outubro 2020, 11:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Continuação da resolução de exercícios da série 4 sobre o efeito do potencial periódico em electrões quase livres.

Resumo da matéria dada

14 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Foi feita uma revisão dos aspectos mais importantes e gerais relativos ao total da matéria.