Continuação sobre a matéria relativa a semicondutores intrínsecos e extrínsecos.
23 Outubro 2020, 10:30 • Mário Manuel Silveira Rodrigues
Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido; semicondutores extrínsecos e fortemente extrínsecos. Compensação de de um material dopado..
Critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.
Número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras) descrito a partir da função de distribuição de Fermi-Dirac modificada e sua aproximação pela distribuição de Maxwell-Boltzmann.
Condutividade eléctrica de um semicondutor dopado e sua dependência com a temperatura.