T

19 Outubro 2016, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Ionização de impurezas (continuação): critério de ionização completa; posição do nível de Fermi para semicondutores tipo n e tipo p; concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido;  semicondutores fortemente extrínsecos.

Variação com T da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas; região extrínseca e região intrínseca; limites inferior e superior para a concentração de impurezas.