Sumários

Série 5

14 Abril 2026, 10:30 Diogo Estevão Pereira Pinto

Resolução dos exercícios da série 5


T21 - Modelo de Debye 2

14 Abril 2026, 09:30 Maria Margarida Cruz

Condições fronteira e quantificação dos valores de k. Comparação das condições fronteira caixa e condições fronteira periódicas. Polarização das vibrações. Modos acústicos e ópticos. Quantização da energia de vibração. Fonão. Cálculo da energia vibracional e da capacidade calorífica no quadro do modelo de Debye no limite de altas e baixas temperaturas. A capacidade calorífica em função da temperatura para um sólido parametrizada pela temperatura de Debye. Descrição da capacidade calorífica a temperaturas intermédias: temperatura de Debye dependente da temperatura. Diferenças na aplicação do modelo de Debye a materiais descritos por estruturas cristalinas monoatómicas e poliatómicas.


Série 5

13 Abril 2026, 10:30 Diogo Estevão Pereira Pinto

Resolução dos exercícios da série 5


T20 - Modelo de Debye

13 Abril 2026, 09:30 Maria Margarida Cruz

Quantização da energia de vibração. Fonão.
Introdução ao modelo de Debye.Determinação da função densidade de estados no espaço dos vetores de onda e no espaço das frequências. Aproximação de grandes comprimentos de onda na relação de dispersão
Condições impostas pelo modelo de Debye. Esfera de Debye. Parâmetros do modelo de Debye e sua determinação.


Aula de dúvidas sobre os primeiros 4 trabalhos

9 Abril 2026, 10:30 Ana Marques

Conforme a planificação apresentada na plataforma Moodle, nesta aula realizou-se o sorteio do tema para a apresentação oral n.º 2. Após a sua definição, cada grupo teve a oportunidade de esclarecer dúvidas relativas a esse trabalho, iniciar a preparação dos slides ou, quando necessário, repetir parte do trabalho experimental que anteriormente não tivesse corrido bem. Foram também discutidas dúvidas relativas aos trabalhos experimentais realizados até ao momento.

  •  O grupo 2 testou novamente os dois métodos de normalização para aquisição da curva de transmitância da amostra de Si.
  • O grupo 3 completou o conjunto de dados necessário para a caracterização de um semicondutor do tipo-p.