Sumários
T33 - Estatística de portadores em níveis de Impureza
14 Maio 2026, 09:30 • Maria Margarida Cruz
Estatística dos portadores em níveis de impureza.
Número médio de ocupação para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada. Número de electrões e buracos ligados às impurezas. Variação com a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras e aceitadoras.
Condutividade elétrica de semicondutores dopados. Dependência com a temperatura.
T32 - Semicondutores dopados
12 Maio 2026, 12:30 • Maria Margarida Cruz
Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p.
Concentração de portadores em semicondutores dopados. Transição entre o regime extrínseco e intrínseco.
T31 - Impurezas em semicondutores
11 Maio 2026, 12:00 • Maria Margarida Cruz
Impurezas em semicondutores. Impurezas aceitadoras e dadoras.
Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.
Regime extrínseco e fortemente extrínseco.
T30 - Semicondutores puros
7 Maio 2026, 09:30 • Maria Margarida Cruz
Semicondutores puros.
Potencial químico do semicondutor intrínseco. Aproximação da distribuição de Fermi-Dirac pela distribuição de Maxwell-Boltzmann.
Concentração de equilíbrio de portadores livres nas bandas de condução e de valência: eletrões e buracos.