Sumários
T12 - Junção p-n
31 Outubro 2018, 10:30 • Maria Margarida Cruz
T11 - Semicondutores dopados
26 Outubro 2018, 10:30 • Maria Margarida Cruz
Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido; compensação de impurezas.
Semicondutores dopados no regime extrínseco e fortemente extrínseco. Variação com a temperatura da concentração de portadores. Região extrínseca e região intrínseca; critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.
Concentração de electrões na banda de condução (semicondutor do tipo n) a baixa temperatura; fracção de impurezas não ionizadas. Número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras), função de distribuição de F-D modificada e aproximação de M-B. Posição do potencial químico a baixa temperatura e evolução com a temperatura da sua posição no hiato de energia. Identificação do potencial químico com uma "Energia de Fermi".
Condutividade eléctrica de semicondutores dopados; análise da representação gráfica da variação com a temperatura de: concentração de portadores, mobilidade e condutividade eléctrica.
T10 - Níveis de impureza
24 Outubro 2018, 10:30 • Maria Margarida Cruz
Condutividade eléctrica para semicondutores puros. Dependência da mobilidade dos portadores e da condutividade eléctrica com a temperatura
Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p.
Energia de ionização das impurezas; níveis de energia e densidades de estado para semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras; valores típicos para energias de ionização.