Sumários
T32 - Semicondutores não homogéneos
15 Maio 2025, 09:30 • Maria Margarida Cruz
Excesso de portadores relativamente ao equilíbrio num semicondutor. Taxa de recombinação e evolução no tempo da concentração de portadores.
Junção p-n: formação de uma região de deplecção e de uma barreira de potencial entre o lado p e o lado n. Efeito de rectificação no transporte de carga.
T31 - Semicondutores dopados
13 Maio 2025, 12:00 • Maria Margarida Cruz
Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos. Variação com a temperatura da condutividade eléctrica.
Efeito de juntar dois semicondutores com dopagens diferentes.
T30 - Impurezas em semicondutores
12 Maio 2025, 12:00 • Maria Margarida Cruz
Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.
Regime extrínseco e fortemente extrínseco. Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p.
Estatística dos portadores em níveis de impureza.
Número médio de ocupação para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada. Número de electrões e buracos ligados às impurezas. Variação com a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras e aceitadoras.
T29 - Semicondutores puros
8 Maio 2025, 09:30 • Maria Margarida Cruz
Semicondutores puros. Concentração de equilíbrio de portadores livres nas bandas de condução e de valência: electrões e buracos. Potencial químico do semicondutor intrínseco.
Variação do gap de energia com a temperatura.
Condutividade eléctrica de um semicondutor intrínseco. Mobilidade dos portadores e sua dependência com a temperatura. Dependência da condutividade eléctrica com a temperatura.
Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.