Sumários
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3 Novembro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Aula teórica extraordinária leccionada no dia 30/10/17, para substituição de aula correspondente a feriado de dia 1/11/17:
Cálculo da corrente na junção para o caso da tensão directa: cálculo do excesso de buracos na fronteira da junção do lado n, e corrente de difusão correspondente; corrente directa devida a buracos; cálculo do excesso de électrões na fronteira da junção do lado p, e corrente de difusão correspondente; corrente directa devida a electrões; valor total da corrente para tensão de polaridade directa como soma das correntes de difusão de electrões e de buracos, validade.
Aula teórica regular:
Aplicação de tensão de polaridade inversa como processo de extracção de portadores minoritários; cálculo do "extracção" de buracos (electrões) na fronteira da junção do lado n (p), e correntes de difusão correspondentes; corrente inversa devida a buracos e electrões; valor total da corrente para tensão de polaridade inversa, como soma das correntes de difusão para electrões e buracos de cada um dos lados da junção, validade.
Equação de rectificação; rectificador ideal, comparação com o caso real, justificação deste.
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27 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Aula não leccionada devido a reunião com a Direcção da FCUL, para discussão de contratação docentes/investigadores.
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27 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Semicondutores não homogénenos; junções p-n abruptas e graduais; descrição da junção p-n no equilibrio: zona de deplecção e potencial de contacto interno; estrutura de bandas para a junção p-n no equílibrio: diferença de energia potencial entre os 2 lados da junção, para um electrão no fundo da banda de condução.
Efeito da aplicação de uma tensão externa: alteração do estado de equilíbrio; aparecimento de correntes na junção; justificação.
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25 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Continuação da discussão e resolução da série de exercícios III.
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25 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Alteração da concentração de equilíbrio de portadores num semicondutor; excesso de portadores e correntes de difusão, exolução para o equilibrio; taxas de geração e recombinação de portadores; vida média dos portadores, sua importância; correntes de difusão e de deriva para electrões e buracos; relações de Einstein.
Equações de continuidade para electrões e para buracos, evolução no tempo do excesso de portadores negativos/positivos ; difusão ambipolar; equação da difusão ambipolar; solução analítica para condições de baixa injecção; coeficiente de difusão ambipolar e mobilidade ambipolar, identificados com coeficientes de difusão e mobilidade dos portadores minoritários;