Sumários
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20 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Correcção do 2º problema de avaliação; discussão e resolução de exercícios da série III.
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20 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos; análise da representação gráfica da variação com a temperatura de: concentração de portadores, mobilidade e condutividade eléctrica.
Alteração da concentração de equilíbrio de portadores num semicondutor; importância da criação de um excesso de portadores: gradiente de concentração e correntes de difusão;
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18 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Aula não leccionada devido a sobreposição com reunião BioISI.
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18 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido; semicondutores extrínsecos e fortemente extrínsecos; compensação de impurezas.
Variação com a temperatura da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas; região extrínseca e região intrínseca; critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco; dedução da concentração de electrões na banda de condução (semicondutor do tipo n) a baixa temperatura; posição do nível de Fermi a baixa temperatura e evolução com a temperatura da posição de EF no hiato de energia.
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13 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho
Discussão dos principais conceitos associados ao modelo dos electrões quase-livres; resolução de exercícios.