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13 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Ionização de impurezas (continuação):

número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras), função de distribuição de F-D modificada e aproximação de M-B.

critério de ionização completa; limites superior e inferior para a concentração de impurezas introduzidas; posição do nível de Fermi para semicondutores tipo n e tipo p.

TP

11 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Correcção e discussão do 1º problema de avaliação.

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11 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Concentração de electrões na banda de condução e buracos na banda de valência; nível de Fermi intrínseco, variação com a temperatura e massas efectivas.

Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p; energia de ionização das impurezas; níveis de energia e densidades de  estado para semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras; valores típicos para energias de ionização;

TP

6 Outubro 2017, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Continuação da resolução de exercícios da série II

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6 Outubro 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Semicondutores, características gerais; bandas de energia e hiato de energia; variação com a temperatura;sobreposição de bandas; hiatos directos e indirectos, valores típicos; semicondutores intrínsecos; função de distribuição e aproximação de Mawell Boltzmann,