Sumários
TP12
25 Outubro 2019, 11:30 • Maria Margarida Cruz
Continuação da discussão e resolução de problemas da série 5.
T12 - Portadores de carga em semicondutores dopados
25 Outubro 2019, 10:30 • Maria Margarida Cruz
Concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido; semicondutores extrínsecos e fortemente extrínsecos. Compensação de de um material dopado..
Critério para passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.Número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras) descrito a partir da função de distribuição de Fermi-Dirac modificada e sua aproximação pela distribuição de Maxwell-Boltzmann.
Condutividade eléctrica de um semicondutor dopado e sua dependência com a temperatura.
T11 - Impurezas em semicondutores
23 Outubro 2019, 10:30 • Maria Margarida Cruz
Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p.
Energia de ionização das impurezas e dimensão espacial dos estados ligados dos portadores.
Densidade de electrões na banda de condução e de buracos na banda de valência em semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras. Variação com a temperatura da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas, região fortemente extrínseca e região intrínseca.Potencial químico de um semicondutor dopado.