T

21 Outubro 2016, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos; variação com a temperatura da concentração de portadores, da mobilidade e da condutividade eléctrica.

Dedução da concentração de electrões na banda de condução para um senicondutor do tipo n, a baixa temperatura; posição do nível de Fermi a baixa temperatura e evolução da posição de E_F com T;

Alteração da concentração de equilíbrio de portadores num semicondutor; excesso de portadores e correntes de difusão; taxas de geração e recombinação de portadores; vida média dos portadores, sua importância; correntes de difusão e de deriva para electrões e buracos; evolução no tempo do excesso de portadores, sua importância no funcionamento dos dispositivos.

TP

19 Outubro 2016, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Correcção do problema de avaliação 2;  resolução de exercícios da série II.

T

19 Outubro 2016, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Ionização de impurezas (continuação): critério de ionização completa; posição do nível de Fermi para semicondutores tipo n e tipo p; concentração de electrões (buracos) na banda de condução (banda de valência) em função do número de impurezas introduzido;  semicondutores fortemente extrínsecos.

Variação com T da concentração de portadores extrínsecos: região de congelamento de impurezas; região extrínseca e região intrínseca; limites inferior e superior para a concentração de impurezas.

TP

14 Outubro 2016, 11:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Continuação da discussão dos exercícios da Série II.

Teórica

14 Outubro 2016, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo n e do tipo p; energia de ionização das impurezas; níveis de energia e densidades de  estado para semicondutores dopados c/ impurezas dadoras e aceitadoras; valores típicos para energias de ionização; número de electrões (buracos) ligados às impurezas dadoras (aceitadoras), função de distribuição de F-D modificada e aproximação de M-B.