T32 - Semicondutores dopados

20 Abril 2021, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos. Variação com a temperatura da condutividade eléctrica.

Comportamento em presença de campo magnético.

T31 - Níveis de impureza em semicondutores

19 Abril 2021, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Estatística dos portadores em níveis de impureza.

Número médio de ocupação  para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada. Número de electrões e buracos ligados às impurezas. Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras e aceitadoras.

T30 - Impurezas em semicondutores

15 Abril 2021, 09:30 • Maria Margarida Cruz

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.

Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.

Regime extrínseco e fortemente extrínseco. Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p.

série 5

15 Abril 2021, 08:00 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Continuação da resolução de problemas da série 5.

T29 - Semicondutores puros

13 Abril 2021, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Semicondutores puros.  Concentração de equilíbrio de portadores livres nas bandas de condução e de valência: electrões e buracos. Potencial químico do semicondutor intrínseco.

Variação do gap de energia com a temperatura.

Condutividade eléctrica de um semicondutor intrínseco. Mobilidade dos portadores e sua dependência com a temperatura. Dependência da condutividade eléctrica com a temperatura.