T

16 Maio 2017, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p; regime extrínseco e fortemente extrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas).

Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras) ; região de congelamento de impurezas, região extrínseca e região intrínseca; passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.

Análise da região de congelamento de impurezas.

T

15 Maio 2017, 10:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Número médio de ocupação  para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada; validade da aproximação de Boltzmann; número de electrões e buracos ligados às impurezas; critério de ionização completa à temperatura ambiente e em função da temperatura.

PL23

11 Maio 2017, 14:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Realização (por grupos) dos trabalhos:

- Determinação do hiato de energia de um semicondutor

- Estudo do efeito de Hall em semicondutores dopados

- Estudo da variação da resistividade eléctrica com a temperatura (15K <T< 300K) para um metal (e um semicondutor).

TP

11 Maio 2017, 10:30 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Discussão e resolução dos exercícios da série V.

Resolução de exercícios da série IV, finalizada em aula extra, no dia 10 de Maio.

T

11 Maio 2017, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III; análise em termos de ião carregado (“core” impureza) + portador de carga fracamente ligado; energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora;  interpretação em termos do modelo de Bohr; introdução de uma constante dieléctrica macroscópica para a matriz semicondutora, redução da energia de ionização das impurezas e aumento do raio da órbita do electrão.