T

29 Maio 2018, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Discussão e correcção dos problemas de avaliação V e VI. Revisão sobre semicondutores.

T

28 Maio 2018, 10:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Propriedades ópticas de semicondutores, continuação; transição directa por absorção de um fotão; transição indirecta (absorção de fotão e fonão) como problema a 3 corpos; identificação de semicondutores de hiato directo e indirecto; determinação do hiato de energia a partir de medidas de absorção óptica; possibilidade de selecção do valor do hiato - soluções sólidas, e hétero-estruturas, 

Breve descrição de dispositivos: transistor, fotodíodo, célular solar.

T

24 Maio 2018, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Equação de rectificação; rectificador ideal e real;  justificação dos desvios. Efeitos de disrupção; efeito de avalanche.

Propriedades ópticas de semicondutores e isolantes, sua importância.

T

22 Maio 2018, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Fluxos de electrões e buracos para a junção no equilibrio (sem tensão externa); efeito da aplicação de uma tensão externa: modificação da barreira de potencial.

Aplicação de tensão externa de polaridade directa: alteração dos fluxos de electrões e buracos;  processo de injecção contínua de portadores minoritários; corrente total para tensão directa; caso da tensão de polaridade inversa; alteração dos fluxos de electrões e buracos;   processo de extracção contínua de portadores  minoritários; corrente total para tensão inversa.  

T

21 Maio 2018, 10:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Equação de difusão ambipolar; coeficiente de difusão e mobilidade ambipolar; solução para condições de baixa injecção, descrição a partir dos portadores minoritários.

Semicondutores não homogéneos: junção p-n; modelo da junção abrupta; descrição da junção p-n no equilibrio: potencial de contacto interno.