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17 Maio 2018, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Alteração da concentração de equilibrio de portadores num semicondutor; excesso de portadores de carga, sua importância e evolução no tempo; taxas de geração e de recombinação de portadores.

Equações da continuidade para electrões e buracos; injecção local de portadores negativos e positivos, formação de campo eléctrico interno.

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15 Maio 2018, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Alteração da concentração de equilibrio de portadores num semicondutor; excesso de portadores de carga, sua importância e evolução no tempo; taxas de geração e de recombinação de portadores.

 Equações da continuidade para electrões e buracos; injecção local de portadores negativos e positivos, formação de campo eléctrico interno.

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14 Maio 2018, 10:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos;  variação com a temperatura do número de portadores e da condutividade eléctrica.

Variação da mobilidade eléctrica com a temperatura: dispersão por fonões (alta temperatura) e dispersão por impurezas carregadas (baixa temperatura); análise dos resultados experimentais obtidos para diferentes valores de dopagem.

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10 Maio 2018, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p; regime extrínseco e fortemente extrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas).

Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras) ; região de congelamento de impurezas, região extrínseca e região intrínseca; passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.

Análise da região de congelamento de impurezas: concentração de electrões na banda de condução para baixas temperaturas. Passagem do regime extrínseco ao regime intrínseco.

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8 Maio 2018, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Número médio de ocupação  para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada; validade da aproximação de Boltzmann; número de electrões e buracos ligados às impurezas; critério de ionização completa à temperatura ambiente e em função da temperatura.