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7 Maio 2018, 10:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III; análise em termos de ião carregado (“core” impureza) + portador de carga fracamente ligado; energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora;  interpretação em termos do modelo de Bohr; introdução de uma constante dieléctrica macroscópica para a matriz semicondutora, redução da energia de ionização das impurezas e aumento do raio da órbita do electrão.

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3 Maio 2018, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Determinação da concentração de electrões na banda de condução e de buracos na banda de valência para um semicondutor intrínseco.

Produto da concentração de electrões e buracos (lei de acção das massas); determinação da concentração intrínseca, dependência com a temperatura, variação da condutividade eléctrica.

Determinação da posição do nível de Fermi intrínseco: nível de Fermi para T=0K; variação da posição do nível de Fermi intrínseco com a temperatura.

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30 Abril 2018, 10:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Introdução aos semicondutores; sua importância, valores característicos da resistividade eléctrica. Estrutura de bandas característica dos semicondutores do grupo IV; valores característicos do hiato de energia;

Semicondutores intrínsecos: suas características,  densidades de estado na banda de condução e na banda de valência; concentração de equilíbrio de portadores livres nas bandas de condução e de valência; igualdade da concentração de portadores positivos e negativos. Função de distribuição de Fermi-Dirac para electrões e para buracos; passagem à estatística de Maxwell- Boltzmann,  justificação.

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26 Abril 2018, 09:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Densidade de corrente eléctrica para uma banda quase cheia (alguns estados vazios); análise em termos dos estados não ocupados: sua interpretação em termos de portadores de carga positivos. 

Conceito de buraco; suas características; importância no estudo dos semicondutores; massa efectiva para electrões e para buracos; prenchimento das bandas de energia; electrões e buracos como portadores de carga.

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24 Abril 2018, 08:00 • Maria Margarida da Fonseca Beja Godinho

Caso particular p/ relação de dispersão quadrática - massa efectiva constante; interpretação física da massa efectiva; massa efectiva negativa; bandas estreitas e bandas largas. Centros de colisão no modelo dos electrões quase-lives - impurezas, defeitos e vibrações da rede cristalina.  Densidade de corrente eléctrica para uma banda cheia.