T30 - Regime extrínseco

19 Maio 2022, 09:30 • Maria Margarida Cruz

Número médio de ocupação  para níveis dadores e aceitadores: estatística de Fermi-Dirac modificada. Número de electrões e buracos ligados às impurezas. Condutividade eléctrica: semicondutores intrínsecos, extrínsecos e fortemente extrínsecos. Variação com a temperatura da condutividade eléctrica. A importância dos semicondutores dopados na electrónica.

I

série 6

19 Maio 2022, 08:00 • Mário Manuel Silveira Rodrigues

Continuação da resolução da série 6 sobre semicondutores.

T29 - Semicondutores dopados

17 Maio 2022, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Possibilidade da introdução controlada de impurezas: semicondutores extrínsecos; impurezas do tipo V e do tipo III num semicondutor do grupo IV.

Níveis de impureza: análise em termos de ião hidrogenóide (core da impureza + portador de carga). Energia de ionização das impurezas na matriz semicondutora e raio do estado ligado.

Regime extrínseco e fortemente extrínseco; concentração de portadores negativos/positivos em função da dopagem (concentração de impurezas). Localização do nível de Fermi para semicondutores dopados, tipo n e tipo p. Variação com  a temperatura da concentração de portadores provenientes de impurezas dadoras (aceitadoras).

T28 - Semicondutores puros

16 Maio 2022, 12:00 • Maria Margarida Cruz

Semicondutores puros.  Concentração de equilíbrio de portadores livres nas bandas de condução e de valência: electrões e buracos. Potencial químico do semicondutor intrínseco.

Variação do gap de energia com a temperatura.

Condutividade eléctrica de um semicondutor intrínseco. Mobilidade dos portadores e sua dependência com a temperatura. Dependência da condutividade eléctrica com a temperatura.

T27 - Electrões e buracos. Semicondutores.

12 Maio 2022, 09:30 • Maria Margarida Cruz

Contribuição para a densidade de corrente eléctrica de uma banda totalmente preenchida. Contribuição para a densidade de corrente eléctrica de uma banda semi-preenchida.

Contribuição para a densidade de corrente eléctrica de uma banda com um único estado vazio. Conceito de buraco e suas características. Massa efectiva para electrões e para buracos.

Metais, isolantes e semicondutores clasificados de acordo com os valores característicos da condutividade eléctrica.
Estrutura de bandas de metais, isolantes e semicondutores

Introdução aos semicondutores. Estrutura de bandas característica dos semicondutores do grupo IV e valores característicos do hiato de energia.

Estatística dos portadores na banda de condução e na banda de valência. Distribuição de Maxwell-Boltzmann.